| 型号： | NVF2955PT1G | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| NVF2955PT1G PDF |  |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 185 毫欧 @ 2.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 492pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 包装 | 带卷 (TR) |